4.半導體光刻膠市場規(guī)模
光刻膠應(yīng)用于晶圓制造工藝的光刻環(huán)節(jié)，作為核心材料決定了工藝圖形的精密程度和產(chǎn)品良率，多年來一直保持穩(wěn)定持續(xù)增長。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030全球及中國光刻膠和光刻膠輔助材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研及投資前景分析報告》顯示，2024年我國光刻膠市場規(guī)模約為80.5億元，同比增長25.39%，中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預測，2025年我國光刻膠市場規(guī)?？蛇_97.8億元。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
5.第三代半導體材料
第三代半導體材料以碳化硅、氮化鎵、氧化鋅、氮化鋁等為代表，核心特性包括寬禁帶、高擊穿場強、高導熱率、高電子遷移率等。碳化硅是第三代寬禁帶半導體材料，憑借其耐高壓、高頻、高效特性，碳化硅正逐步替代傳統(tǒng)半導體材料，成為新能源、5G通信和航空航天等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年中國碳化硅市場調(diào)查與投資機會前景專題研究報告》顯示，2024年全球碳化硅襯底市場規(guī)模達到92億元，較上年增長24.32%。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預測，2025年全球碳化硅襯底市場規(guī)模將達到123億元。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
6.半導體材料行業(yè)競爭格局
中國半導體材料歷經(jīng)多年發(fā)展，已經(jīng)基本實現(xiàn)了重點材料領(lǐng)域的布局或量產(chǎn)，但產(chǎn)品整體仍然以中低端為主。部分高端產(chǎn)品如ArF光刻膠已經(jīng)通過一些企業(yè)認證，硅片、電子氣體、氫氟酸、靶材中的部分高端產(chǎn)品也已取得突破并打入臺積電、三星、中芯國際等全球龍頭公司供應(yīng)鏈，但高端材料依然被海外廠商主導，并且在產(chǎn)能及市場規(guī)模方面與海外廠商也有較大差距。中國大陸自主化率不高，國產(chǎn)化替代需求迫切。
資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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