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1.1　氮化鎵基本介紹
1.1.1　氮化鎵基本概念
1.1.2　氮化鎵形成階段
1.1.3　氮化鎵性能優(yōu)勢
1.1.4　氮化鎵半導體作用
1.2　氮化鎵材料的特性
1.2.1　結構特性
1.2.2　化學特性
1.2.3　光學特性
1.2.4　電學性質(zhì)
1.2.5　磁學特性
1.3　氮化鎵的制備方法
1.3.1　金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術
1.3.2　分子束外延（MBE）技術
1.3.3　氫化物氣相外延（HVPE）技術
1.3.4　懸空外延技術（Pendeo-epitaxy）

2.1　半導體材料相關概述
2.1.1　第一代半導體材料
2.1.2　第二代半導體材料
2.1.3　第三代半導體材料
2.1.4　半導體材料的應用
2.2　2023-2025年全球半導體材料發(fā)展狀況
2.2.1　市場規(guī)模分析
2.2.2　市場態(tài)勢分析
2.2.3　區(qū)域分布狀況
2.2.4　細分市場結構
2.2.5　產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移
2.3　2023-2025年中國半導體材料行業(yè)運行狀況
2.3.1　行業(yè)發(fā)展特性
2.3.2　市場發(fā)展規(guī)模
2.3.3　企業(yè)注冊數(shù)量
2.3.4　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級
2.3.5　應用環(huán)節(jié)分析
2.3.6　項目建設動態(tài)
2.4　半導體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2　產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3　供應鏈不完善
2.4.4　行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5　行業(yè)發(fā)展思路
2.5　半導體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1　市場結構性機會
2.5.2　行業(yè)發(fā)展前景
2.5.3　行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.4　新型材料展望

3.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3　產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4　國產(chǎn)化的進展
3.2　2023-2025年氮化鎵市場發(fā)展狀況
3.2.1　氮化鎵市場發(fā)展變局
3.2.2　氮化鎵市場產(chǎn)值規(guī)模
3.2.3　氮化鎵應用狀況分析
3.2.4　氮化鎵應用技術突破
3.2.5　氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化進展
3.3　氮化鎵技術專利申請狀況
3.3.1　中國氮化鎵專利申請狀況
3.3.2　中國氮化鎵專利技術構成
3.3.3　中國氮化鎵專利申請人分析
3.3.4　中國氮化鎵專利發(fā)明人分析
3.3.5　中國氮化鎵技術創(chuàng)新熱點

4.1　2023-2025年全球氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.1.1　全球氮化鎵市場區(qū)域競爭
4.1.2　全球氮化鎵企業(yè)競爭格局
4.1.3　全球氮化鎵企業(yè)市場份額
4.1.4　全球氮化鎵企業(yè)布局情況
4.1.5　全球氮化鎵企業(yè)投資并購
4.1.6　全球氮化鎵中國企業(yè)布局
4.2　2023-2025年中國氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.2.1　國內(nèi)氮化鎵競爭態(tài)勢
4.2.2　國內(nèi)氮化鎵集中度
4.2.3　國內(nèi)氮化鎵企業(yè)研發(fā)及創(chuàng)新
4.2.4　國內(nèi)氮化鎵廠商布局
4.3　氮化鎵快充市場主要廠商及制造工廠
4.3.1　氮化鎵快充市場發(fā)展現(xiàn)狀
4.3.2　主要廠商及其合作伙伴
4.3.3　氮化鎵快充制造工廠
4.3.4　未來技術發(fā)展趨勢分析
4.4　GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.4.1　GaN電力電子器件
4.4.2　GaN光電子器件

5.1　發(fā)光二極管（LED）
5.1.1　發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
5.1.2　發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展現(xiàn)狀
5.1.3　發(fā)光二極管（LED）模塊進出口數(shù)據(jù)
5.1.4　氮化鎵基藍綠光LED發(fā)展歷程
5.1.5　氮化鎵在LED領域的技術突破
5.2　場效應晶體管（FET）
5.2.1　場效應晶體管（FET）發(fā)展概述
5.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析
5.2.3　GaN　FET產(chǎn)品的應用情況
5.2.4　GaN　FET產(chǎn)品研發(fā)進展
5.3　激光二極管（LD）
5.3.1　激光二極管（LD）發(fā)展概述
5.3.2　激光二極管（LD）背景技術
5.3.3　激光器進出口市場數(shù)據(jù)分析
5.3.4　GaN基激光器發(fā)展概況分析
5.3.5　GaN基激光器應用狀況分析
5.3.6　GaN基激光器技術發(fā)展情況
5.3.7　GaN基激光器發(fā)展前景展望
5.4　二極管（Diodes）
5.4.1　二極管（Diodes）發(fā)展概述
5.4.2　二極管進出口市場數(shù)據(jù)分析
5.4.3　氮化鎵二極管技術發(fā)展狀況
5.5　射頻器件（RF）
5.5.1　射頻器件（RF）發(fā)展概述
5.5.2　GaN射頻器件市場發(fā)展狀況
5.5.3　GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
5.5.4　GaN射頻器件主要需求領域
5.6　太陽能電池（Solar　Cells）
5.6.1　中國太陽能電池進出口數(shù)據(jù)分析
5.6.2　InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發(fā)展概述
5.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5　InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發(fā)展展望

6.1　氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應用
6.1.1　電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
6.1.2　GaN應用在電力電子領域的優(yōu)勢
6.1.3　GaN電力電子器件分布情況
6.1.4　GaN基電力電子器件關鍵技術
6.1.5　氮化鎵應用機會及趨勢
6.2　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應用
6.2.1　氮化鎵在新能源行業(yè)的優(yōu)勢
6.2.2　氮化鎵在新能源行業(yè)應用潛力
6.2.3　氮化鎵在新能源的機會與挑戰(zhàn)
6.2.4　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)應用前景
6.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應用
6.3.1　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的應用領域
6.3.2　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應用優(yōu)勢
6.3.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中未來發(fā)展方向
6.3.4　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的市場發(fā)展預測
6.4　氮化鎵在通訊設備產(chǎn)業(yè)的應用
6.4.1　氮化鎵在通訊設備市場需求分析
6.4.2　氮化鎵在通訊設備市場技術問題
6.4.3　氮化鎵在通訊設備市場應用前景
6.5　氮化鎵其他領域應用分析
6.5.1　GaN在無線基站領域應用
6.5.2　GaN在紫外探測領域的應用
6.5.3　GaN在紅外探測領域的應用
6.5.4　GaN在壓力傳感器中的應用
6.5.5　GaN在生物化學探測領域的應用

7.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
7.1.3　企業(yè)經(jīng)營狀況
7.2　科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.2.3　企業(yè)經(jīng)營狀況
7.3　亞德諾半導體（Analog Devices, Inc.）
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.3.3　企業(yè)經(jīng)營狀況
7.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.4.3　企業(yè)經(jīng)營狀況
7.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
7.5.3　企業(yè)布局狀況
7.5.4　企業(yè)經(jīng)營狀況

8.1　蘇州納維科技有限公司
8.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2　企業(yè)主營業(yè)務
8.1.3　企業(yè)項目動態(tài)
8.2　蘇州能訊高能半導體有限公司
8.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2　企業(yè)發(fā)展成就
8.2.3　企業(yè)項目進展
8.3　東莞市中鎵半導體科技有限公司
8.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2　企業(yè)核心技術
8.3.3　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
8.3.4　企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4　三安光電股份有限公司
8.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2　經(jīng)營效益分析
8.4.3　業(yè)務經(jīng)營分析
8.4.4　財務狀況分析
8.4.5　核心競爭力分析
8.5　杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2　經(jīng)營效益分析
8.5.3　業(yè)務經(jīng)營分析
8.5.4　財務狀況分析
8.5.5　核心競爭力分析
8.6　四川海特高新技術股份有限公司
8.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.6.2　企業(yè)的行業(yè)地位
8.6.3　經(jīng)營效益分析
8.6.4　業(yè)務經(jīng)營分析
8.6.5　財務狀況分析
8.6.6　核心競爭力分析

9.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
9.1.1　產(chǎn)業(yè)投資機會
9.1.2　企業(yè)并購動態(tài)
9.1.3　投資擴產(chǎn)狀況
9.1.4　市場進入壁壘
9.2　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
9.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
9.2.2　市場應用潛力
9.2.3　市場發(fā)展機遇
9.3　2025-2030年中國氮化鎵市場預測分析
9.3.1　氮化鎵發(fā)展驅(qū)動五力模型分析
9.3.2　2025-2030年中國GaN產(chǎn)能規(guī)模預測

圖表1　半導體發(fā)展歷程
圖表2　硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3　半導體材料性能比較
圖表4　砷化鎵/氮化鎵半導體的作用
圖表5　纖鋅礦結構和閃鋅礦結構兩種結構的結構特性
圖表6　三代半導體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7　半導體材料的主要應用
圖表8　2013-2022年全球半導體材料規(guī)模區(qū)域分布
圖表9　2012-2023年中國半導體材料市場規(guī)模
圖表10　2015-2023年中國半導體材料相關企業(yè)注冊數(shù)量
圖表11　半導體材料主要應用于晶圓制造與封測環(huán)節(jié)
圖表12　GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表13　GaN外延用不同襯底的對比
圖表14　GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術
圖表15　GaN器件發(fā)展史
圖表16　各國第三代半導體相關政策
圖表17　各國對于第三代半導體廠商相關補貼
圖表18　2020-2023年中國GaN產(chǎn)能
圖表19　氮化鎵（GaN）應用狀況
圖表20　2015-2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠暾埣笆跈嗔?br/>圖表21　2015-2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠厔?br/>圖表22　截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠愋?br/>圖表23　截至2024年中國氮化鎵技術領域發(fā)明專利審查時長
圖表24　截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠蔂顟B(tài)
圖表25　截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠墒录?br/>圖表26　截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠暾堉袊∈蟹植?br/>圖表27　截至2024年中國氮化鎵技術領域主要技術分支的專利分布
圖表28　2015-2024年中國氮化鎵技術領域技術分支申請趨勢
圖表29　截至2024年中國氮化鎵技術領域重要技術分支主要申請人分布
圖表30　截至2024年中國氮化鎵技術領域技術功效矩陣
圖表31　截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠暾埲伺琶?br/>圖表32　截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠卸?br/>圖表33　截至2024年中國氮化鎵技術領域新入局者披露
圖表34　截至2024年中國氮化鎵技術領域合作申請分析
圖表35　截至2024年中國氮化鎵技術領域主要申請人技術分析
略….