近年來碳化硅晶片作為襯底材料的應(yīng)用逐步成熟并進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,以碳化硅晶片為襯底,通常使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法,在晶片上淀積一層單晶形成外延片。其中,在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片,可進(jìn)一步制成功率器件,應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域;在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片,可進(jìn)一步制成微波射頻器件,應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。
碳化硅晶片經(jīng)外延生長后主要用于制造功率器件、射頻器件等分立器件??蓮V泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域,在我國“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
(一)功率器件
碳化硅功率器件被廣泛應(yīng)用于新能源汽車中的主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、充電系統(tǒng)中的車載充電機(jī)和充電樁等,光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域。受益新能源汽車的放量,碳化硅功率器件市場將快速增長。根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2018年和2024年碳化硅功率器件市場規(guī)模分別約4億和50億美元,復(fù)合增速約51%,按照該復(fù)合增速,2027年碳化硅功率器件市場規(guī)模約172億美元。
碳化硅材料市場規(guī)模預(yù)測