3.碳化硅器件成本結構
碳化硅在半導體器件領域中是第三代半導體材料代表之一，從碳化硅器件的制造成本結構來看，襯底成本最大，占比達47%；其次是外延成本，占比為23%。這兩大工序是SiC器件的重要組成部分。
數據來源：中商產業(yè)研究院整理
4.下游應用情況
近年來中國碳化硅功率器件市場規(guī)模快速增長，其主要驅動因素之一是新能源汽車市場的快速滲透。2021年，新能源汽車占下游應用市場的份額為38%。其次是消費類電源，占比為22%;光伏逆變器占據著15%的份額。
數據來源：CASA、中商產業(yè)研究院整理
5.碳化硅產線建設
2021年國內投產3條6英寸SiC晶圓產線，總體來看國內至少已有7條6英寸Sic晶圓制造產線(包括中試線)，另有約10條SiC生產線正在建設。GaN射頻產線方面，目前有5條4英寸GaN-on-SiC生產線，約有5條GaN射頻產線正在建設。
資料來源：CASA、中商產業(yè)研究院整理
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