中商情報網(wǎng)訊：與硅基半導(dǎo)體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029全球及中國SiC和GaN功率器件市場洞察報告》顯示，2023年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為21.2億美元，受益于新能源汽車及光伏領(lǐng)域需求量的高速增長，預(yù)計2024年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將達26.6億美元。
數(shù)據(jù)來源：Omdia、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
當(dāng)前我國已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點支持領(lǐng)域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導(dǎo)體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。從下游應(yīng)用市場占比情況來看，新能源汽車應(yīng)用占比最大，達到38%；其次是消費類電源，占比為22%；光伏逆變器占據(jù)著15%的份額。
數(shù)據(jù)來源：CASA、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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